Samsung, Hynix y Micron son algunos de los fabricantes que ya están  listos para la producción en masa de memorias DDR4 para 2013.

 

Algunas de las principales características citaban un rango de funcionamiento que no supere los 1,2 voltios, un 20% menos que las actuales DD3, y transferencias de hasta 3200 millones de datos por segundo, el doble que las más rápidas DDR3. Para hacerse idea, Micron, recientemente ingresado en este mercado emergente, reveló una transferencia de datos de 2400 millones/s, mientras que Samsung lanzaría una primera “camada” de memorias DDR4 con una trasferencia de 2113 millones/s.

Samsung En diciembre de 2010 ya comenzaba a distribuir muestras de sus primeros módulos de 2Gb DDR4, mientras que para enero de 2011 ya había completado el desarrollo de sus primeras memorias de 4Gb. Hynix,  lanzó sus primeros pasos en el DDR4 al mes siguiente.

Pero, ¿cómo funcionan? De la misma forma que sus antecesores, las memorias DDR4 son Double Data Rate, eso quiere decir que trasladan sus datos dos veces por la memoria del bus por cada ciclo. Pero parece que eso es lo único que emparenta a estas memorias con las anteriores DDR, ya que en lugar de usar varios canales compartidos para unir la memoria con el procesador, cada módulo DDR4 tiene su propia conexión con el controlador de memoria.

Evidentemente, las virtudes del DDR4 son muchas, pero hay un precio.

  •    Uno de ellos es el espacio: hay que acomodar todas esas conexiones de memoria extra en algún lugar. Las conexiones punto a punto con el micro harían que los módulos de memoria sean más densos en su diseño, para tratar de mantenerse en un mismo espacio.
  •  Otro de los problemas, es que la comunicación directa entre cada módulo de memoria y elCPU, complicaría el manipuleo de grandes cantidades de memoria

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